RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工艺、4倍光追性能提升

RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工艺、4倍光追性能提升

关于NVIDIA安培显卡，圈内有新消息传来。

Moore’sLawisDead指出，由于满足不了NVIDIA的预订产能，今年推出的RTX30系列显卡，GPU核心均基于三星8nm打造，台积电7nmEUV需要等到明年上半年就绪，这意味着，后续的升级该款RTX30xxSuper才有机会换装7nm核心。

爆料称认为，这会让7nm的AMDRDNA2独显（“BigNavi”）处于相对有利的位置。

关于GA102核心RTX工程样卡的细节参数，爆料也做出修正，以下是最新汇总，据说GA102会同时用在RTX3080Ti（一说叫3090）和RTX3080上——

-罕见的三风扇散热设计

-12Pin外接供电接口取代8Pin

-基础频率2GHz，加速2.2GHz

-默频下功耗300瓦左右

-5376个CUDA，12GB显存，18Gbps带宽

-4K绘图性能提升了40%

-较RTX2080Ti的IPC有坚实提升，光追性能增加3~4倍

-首发支持DLSS3.0